- Emitter-Kollektor-Strecke
- сущ.
микроэл. участок эмиттер-коллектор
Универсальный немецко-русский словарь. Академик.ру. 2011.
Emitter-Kollektor-Strecke
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Kollektor-Emitter-Spannung — ist mit UCE bezeichnet Die Kollektor Emitter Spannung oder UCE gibt an, wie hoch der Spannungsabfall zwischen Kollektor und Emitter eines Bipolartransistors ist. Solange der Transistor vollständig gesperrt ist (d. h. wenn keine Basis Emitte … Deutsch Wikipedia
Kollektor-Strom — Der Kollektor Emitter Strom bezeichnet den Strom, der über den Kollektor eines Bipolartransistors in den Emitter fließt. Ebers Moll Modell eines npn Transistors Der Kollektor Emitter Strom ist eine Folge der zwischen Basis und Emitter angelegten… … Deutsch Wikipedia
Kollektor-Emitter-Strom — Der Kollektor Emitter Strom bezeichnet den Strom, der über den Kollektor eines Bipolartransistors in den Emitter fließt. Ebers Moll Modell eines npn Transistors Der Kollektor Emitter Strom ist eine Folge der zwischen Basis und Emitter angelegten… … Deutsch Wikipedia
Basis-Emitter-Spannung — Spannungen an einem npn Bipolartransistor Unter Basis Emitter Spannung versteht man die elektrische Spannung, die zwischen dem Basis Anschluss und dem Emitter Anschluss an einem Bipolartransistor abfällt. Sobald an der Basis eine ausreichende… … Deutsch Wikipedia
Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
IGBT — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Igbt — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Insulated Gate Bipolar Transistor — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Bipolartransistor — Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor… … Deutsch Wikipedia
BJT — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
Bipolar Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
